据悉,台积电2nm将首次采用全新环绕闸极(GAA)电晶体架构,并为高速运算(HPC)产品量身打造背面电轨设计,整体效能较前代将有大幅提升。
具体而言,对比上一代3nm工艺,台积电2nm技术在相同功耗下速度提高了10-15%。而在相同速度下,2nm工艺的功耗降低了25-30%。
根据目前获得的消息,台积电2nm芯片制程研发进度超出预期,如果一切顺利,台积电将在2025年开始量产2nm产品。
2nm工艺被视为下一代半导体制程的关键,它能够为芯片提供更高的性能和更低的功耗,值得期待。
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