果粉控9月12日消息,韩国The Elec近日报道,三星电子和SK海力士两大电子巨头正在积极加速推动12层HBM(高带宽存储器)内存的量产,以满足市场对高性能存储需求的不断增长。这一举措不仅受到了生成式人工智能(AI)的强劲需求的推动,还反映了高带宽存储器在各种应用中的重要性。
随着生成式AI技术的飞速发展,对高性能计算和数据处理的需求也逐渐增加。HBM内存作为一种高带宽、低能耗的存储解决方案,因其出色的性能而备受青睐。目前,市场上主要采用8层HBM堆叠技术,但下一代12层HBM内存即将开始量产。
报道指出,HBM堆叠技术目前主要采用热压粘合(TCB)和批量回流焊(MR)工艺,但最新消息称,三星电子和SK海力士正在积极推进一种名为混合键合(Hybrid Bonding)的封装工艺,以突破传统工艺所存在的一些限制,如发热问题和封装高度限制。
混合键合中的"混合"一词意味着除了在室温下将铜凸点(bump)键合在一起,两个芯片的非导电部分也会紧密贴合在一起。这意味着在芯片与芯片或晶圆与晶圆之间将没有空隙存在,无需填充环氧树脂。
根据天脉网了解,三星电子和SK海力士等主要公司已成功克服了混合键合工艺所带来的挑战,扩展了传统的TCB和MR工艺,实现了高达12层的HBM堆叠技术。此举不仅提高了输入/输出(IO)吞吐量,还允许在仅有1平方毫米的面积内连接1万到10万个通孔(via),进一步提升了高性能计算和AI应用的数据处理能力。
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